Reaktionsverhalten von Siliciumoberflächen in HF-basierten Ätzlösungen

Das Werk befasst sich mit grundlegenden Untersuchungen von Reaktionsmustern kristalliner Si- Oberflächen in HF-basierten Ätzlösungen. Ausgehend von industriell relevanten HF – HNO3 – H2O – Gemischen wurden HF/HNO3 – Konzentrationsverhältnisse, durch gelöste Stickoxide bedingte Folgereaktionen sowie pH-Werte als wichtige Steuerparameter identifiziert. Die in diesem Kontext zentrale Rolle von Nitrosylionen wurde durch Untersuchungen von spezifischen Reaktionsmustern an as-cut und hydrophobierten Si-Oberflächen sowie bei Umsetzungen mit Oligosilanen als Modellverbindungen bestätigt. Die aus den umfassenden analytischen Untersuchungen der gasförmigen, flüssigen und festen Systemkomponenten gewonnenen Erkenntnisse liefern einen wichtigen Beitrag zum Verständnis nasschemischer Halbleiterätzprozesse. Auf dieser Grundlage erschließen sich neue Anwendungsfelder, beispielsweise für eine Aufarbeitung feinkörniger Si- Rohstoffe (Korngröße ≤ 0,5 mm).